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:以下关于IGBT说法正确的是( )。 A:相比于电力MOSFET,IGBT的耐高压能力更优B:IGBT的输入阻抗高,输入特性与电力MOSFET类似C:相比于电力MOSFET,IGBT的关断时间更短D:IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件答案: 相比于电力MOSFET,IGBT的耐高压能力更优;IGBT的输入阻抗高,输入特性与电力MOSFET类似18、
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