：以下关于IGBT说法正确的是（ ）。 A:相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优B:IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似C:相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短D:IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件答案: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优;IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似18、